MOS管測試儀 場效應(yīng)管測定儀  型號：MHY-29256

概述 　

　 MOS管測試儀是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場效應(yīng)管參數(shù)測試裝置，可用于標稱 電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)功率場效應(yīng)管主要參數(shù)的測試。它可以準確測量擊穿電壓 VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測試電流可以達到50A，由于采 用脈沖電流測試法，即使在大電流測試時也不會對被測器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對場效 應(yīng)管進行參數(shù)一致性的測試（配對）；儀器可用于同等電流等級的IGBT參數(shù)的測量；儀器還是一臺性能電子元器件耐壓測試裝置，其測試耐壓時的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于功率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗、參數(shù)的配對及其它電子元器件的耐壓測試之用。

主要技術(shù)性能 　　

　　 1、擊穿電壓VDSS測量范圍： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 　

　　　 2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。

　　　　 3、柵極開啟電壓VGS（th） 測量范圍： 0—10V。 精度：≤5% 。

　　　　 4、Gfs跨導(dǎo)測試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 精度：≤10 % 。 　

　　 　5、Gfs跨導(dǎo)測試范圍：1—100 。

主要測試功能 　

　　　 1、功率場效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測試。 　

　　　 2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測試。

　　　　 3、功率場效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測試，可用于配對。

　　　　 4、對其它更大電流和功率的場效應(yīng)管及IGBT的測試：

　　　 　5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測試。

　　　　 6、壓敏電阻電壓的測試等。